3-D transistor: различия между версиями
Материал из Encyclopedia Electronica
м Замена текста — «(MSK)↵</p>» на «(MSK)» |
м Замена текста — «<p xmlns="http://www.mediawiki.org/xml/export-0.10/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance">» на «» |
||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
<span style="color: steelblue;">[ˈtraɪˌgeɪt]</span><br/><span style="color: darkslategray;">(three-dimensional …)</span><br/><span style="color: green; font-style: italic;">[[Категория: полупроводники]]</span><span style="color: indigo;">трёхзатворный транзистор, трёхмерный транзистор</span><br/><span style="color: darkslategray;"> Новая структура транзисторов, у которых не один, а три затвора. Такая структура снижает сопротивление при прохождении электронов через транзистор, когда он находится в открытом состоянии, и почти полностью перекрывает поток электронов в закрытом. Используется, в частности, компанией [[Intel]] для выпуска микропроцессоров, в которых транзисторы 3-D / Tri-Gate будут изготовляться по 22-нанометровому технологическому процессу (микропроцессорная архитектура [[Ivy Bridge]]).</span><br/> <br/>[[Файл:Trigate.jpg|мини]]<br/><br/>— [[Участник:Игорь Мостицкий|Игорь Мостицкий]] ([[Обсуждение участника:Игорь Мостицкий|обсуждение]]) 23:06, 8 января 2026 (MSK) | |||
Версия от 18:41, 9 января 2026
[ˈtraɪˌgeɪt]
(three-dimensional …)
трёхзатворный транзистор, трёхмерный транзистор
Новая структура транзисторов, у которых не один, а три затвора. Такая структура снижает сопротивление при прохождении электронов через транзистор, когда он находится в открытом состоянии, и почти полностью перекрывает поток электронов в закрытом. Используется, в частности, компанией Intel для выпуска микропроцессоров, в которых транзисторы 3-D / Tri-Gate будут изготовляться по 22-нанометровому технологическому процессу (микропроцессорная архитектура Ivy Bridge).
— Игорь Мостицкий (обсуждение) 23:06, 8 января 2026 (MSK)
