NAND TLC: различия между версиями
Материал из Encyclopedia Electronica
Новая страница: « <b>(NAND) TLC</b><br/><b>(NAND) Triple-Level Cell</b><br/><b>(NAND) TLC</b><br/><b>(NAND) Triple-Level Cell</b><br/><p><span style="color: darkslategray;">NAND Triple-Level Cell, <i>сокр.</i> NAND TLC</span><br/><span>Категория: полупроводники</span><span style="color: darkslategray;"> Flash-память данного типа работает по тому же принципу, что и MLC, но позволя...» |
м Замена текста — «\[\[Файл:(.*)\\ (.*)\|мини\]\]» на «мини» |
||
| (не показаны 3 промежуточные версии этого же участника) | |||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
<b>(NAND) TLC</b><br/><b>(NAND) Triple-Level Cell</b><br/><b>(NAND) TLC</b><br/><b>(NAND) Triple-Level Cell</b><br/><p><span style="color: darkslategray;">NAND Triple-Level Cell, <i>сокр.</i> NAND TLC</span><br/><span>[[Категория: полупроводники]]</span><span style="color: darkslategray;"> [[Flash]]-память данного типа работает по тому же принципу, что и [[MLC]], но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Надёжность этого вида памяти низкая — около 1 тыс. циклов перезаписи.</span><br/><span style="color: teal;">♦ QLC-чипы дешевле, но быстрее деградируют при интенсивной записи. Для рабочих систем лучше выбирать TLC.</span><br/>🔗 [https://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#Vertical_NAND Wiki] <span style="color: darkslategray;">(<i>Eng</i>)</span><br/>🔗 [https://www.ixbt.com/news/2025/04/20/dva-goda-bez-pitanija-issledovanie-podtverdilo-riski-dolgosrochnogo-hranenija-dannyh-na-ssd-bez-pitanija.html «Два года без питания: исследование подтвердило риски долгосрочного хранения данных на SSD без питания»] <span style="color: darkslategray;">(<i>20.04.2025</i>)</span><br/><i>Сравни также</i><br/>- [[3D V-NAND]]<br/>- [[NAND eMLC]]<br/>- [[NAND MLC]]<br/>- [[NAND SLC]]<br/> <br/>[[Файл:Cell | <b>(NAND) TLC</b><br/><b>(NAND) Triple-Level Cell</b><br/><b>(NAND) TLC</b><br/><b>(NAND) Triple-Level Cell</b><br/><p><span style="color: darkslategray;">NAND Triple-Level Cell, <i>сокр.</i> NAND TLC</span><br/><span>[[Категория: полупроводники]]</span><span style="color: darkslategray;"> [[Flash]]-память данного типа работает по тому же принципу, что и [[MLC]], но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Надёжность этого вида памяти низкая — около 1 тыс. циклов перезаписи.</span><br/><span style="color: teal;">♦ QLC-чипы дешевле, но быстрее деградируют при интенсивной записи. Для рабочих систем лучше выбирать TLC.</span><br/>🔗 [https://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#Vertical_NAND Wiki] <span style="color: darkslategray;">(<i>Eng</i>)</span><br/>🔗 [https://www.ixbt.com/news/2025/04/20/dva-goda-bez-pitanija-issledovanie-podtverdilo-riski-dolgosrochnogo-hranenija-dannyh-na-ssd-bez-pitanija.html «Два года без питания: исследование подтвердило риски долгосрочного хранения данных на SSD без питания»] <span style="color: darkslategray;">(<i>20.04.2025</i>)</span><br/><i>Сравни также</i><br/>- [[3D V-NAND]]<br/>- [[NAND eMLC]]<br/>- [[NAND MLC]]<br/>- [[NAND SLC]]<br/> <br/>[[Файл:Cell types of storage.jpg|мини]]<br/><i>Табл.</i> <span style="color: darkslategray;">Cell types of storage. <i><font color="silver">Изображение: wiki.</span></font></i><br/><br/>— [[Участник:Игорь Мостицкий|Игорь Мостицкий]] ([[Обсуждение участника:Игорь Мостицкий|обсуждение]]) 14:49, 9 января 2026 (MSK) | ||
Текущая версия от 18:18, 13 января 2026
(NAND) TLC
(NAND) Triple-Level Cell
(NAND) TLC
(NAND) Triple-Level Cell
NAND Triple-Level Cell, сокр. NAND TLC
Flash-память данного типа работает по тому же принципу, что и MLC, но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Надёжность этого вида памяти низкая — около 1 тыс. циклов перезаписи.
♦ QLC-чипы дешевле, но быстрее деградируют при интенсивной записи. Для рабочих систем лучше выбирать TLC.
🔗 Wiki (Eng)
🔗 «Два года без питания: исследование подтвердило риски долгосрочного хранения данных на SSD без питания» (20.04.2025)
Сравни также
- 3D V-NAND
- NAND eMLC
- NAND MLC
- NAND SLC
Табл. Cell types of storage. Изображение: wiki.
— Игорь Мостицкий (обсуждение) 14:49, 9 января 2026 (MSK)
