MLC: различия между версиями

Материал из Encyclopedia Electronica
м Замена текста — «\[\[Файл:(.*)\\ (.*)\|» на «Файл:$1 $2»
м Замена текста — «\[\[Файл:(.*)\\ (.*)\|мини\]\]» на «мини»
 
(не показаны 2 промежуточные версии этого же участника)
Строка 1: Строка 1:


<b>(NAND) MLC</b><br/><b>(NAND) Multi-Level Cell</b><br/><b>(NAND) MLC</b><br/><b>(NAND) Multi-Level Cell</b><br/><p><span style="color: darkslategray;">NAND Multi-Level Cell, <i>сокр.</i> NAND MLC</span><br/><span>[[Категория: полупроводники]]</span><span style="color: darkslategray;"> [[Flash]]-память данного типа позволяет хранить два бита в одной ячейке за счёт измерения конкретного значения заряда (от 0 до 3). По мере износа затвора способность хранить заряд ухудшается, что приводит к раннему появлению ошибок. Считается, что 2-битная ячейка MLC в среднем выдерживает до 5 тыс. циклов перезаписи.</span><br/>🔗 [https://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#Vertical_NAND Wiki] <span style="color: darkslategray;">(<i>Eng</i>)</span><br/><i>Сравни также</i><br/>- [[3D V-NAND]]<br/>- [[NAND eMLC]]<br/>- [[NAND SLC]]<br/>- [[NAND TLC]]<br/> <br/>[[Файл:Cell types\ of\ storage.jpg]]мини]]<br/><i>Табл.</i> <span style="color: darkslategray;">Cell types of storage. <i><font color="silver">Изображение: wiki.</span></font></i><br/><br/>— [[Участник:Игорь Мостицкий|Игорь Мостицкий]] ([[Обсуждение участника:Игорь Мостицкий|обсуждение]]) 14:44, 9 января 2026 (MSK)
<b>(NAND) MLC</b><br/><b>(NAND) Multi-Level Cell</b><br/><b>(NAND) MLC</b><br/><b>(NAND) Multi-Level Cell</b><br/><p><span style="color: darkslategray;">NAND Multi-Level Cell, <i>сокр.</i> NAND MLC</span><br/><span>[[Категория: полупроводники]]</span><span style="color: darkslategray;"> [[Flash]]-память данного типа позволяет хранить два бита в одной ячейке за счёт измерения конкретного значения заряда (от 0 до 3). По мере износа затвора способность хранить заряд ухудшается, что приводит к раннему появлению ошибок. Считается, что 2-битная ячейка MLC в среднем выдерживает до 5 тыс. циклов перезаписи.</span><br/>🔗 [https://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#Vertical_NAND Wiki] <span style="color: darkslategray;">(<i>Eng</i>)</span><br/><i>Сравни также</i><br/>- [[3D V-NAND]]<br/>- [[NAND eMLC]]<br/>- [[NAND SLC]]<br/>- [[NAND TLC]]<br/> <br/>[[Файл:Cell types of storage.jpg|мини]]<br/><i>Табл.</i> <span style="color: darkslategray;">Cell types of storage. <i><font color="silver">Изображение: wiki.</span></font></i><br/><br/>— [[Участник:Игорь Мостицкий|Игорь Мостицкий]] ([[Обсуждение участника:Игорь Мостицкий|обсуждение]]) 14:44, 9 января 2026 (MSK)

Текущая версия от 18:24, 13 января 2026

(NAND) MLC
(NAND) Multi-Level Cell
(NAND) MLC
(NAND) Multi-Level Cell

NAND Multi-Level Cell, сокр. NAND MLC
Flash-память данного типа позволяет хранить два бита в одной ячейке за счёт измерения конкретного значения заряда (от 0 до 3). По мере износа затвора способность хранить заряд ухудшается, что приводит к раннему появлению ошибок. Считается, что 2-битная ячейка MLC в среднем выдерживает до 5 тыс. циклов перезаписи.
🔗 Wiki (Eng)
Сравни также
- 3D V-NAND
- NAND eMLC
- NAND SLC
- NAND TLC


Табл. Cell types of storage. Изображение: wiki.

Игорь Мостицкий (обсуждение) 14:44, 9 января 2026 (MSK)