NAND Single-Level Cell: различия между версиями
Материал из Encyclopedia Electronica
м Замена текста — «\[\[Файл:(.*)\]\]мини\]\]» на «мини» |
Нет описания правки |
||
| (не показаны 4 промежуточные версии этого же участника) | |||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
[[Файл:Cell types of storage.jpg|мини|<i>Табл.</i> <span style="color: darkslategray;">Cell types of storage. <i><font color="silver">Изображение: wiki.</span></font></i>]] | |||
< | <b>(NAND) Single-Level Cell</b><br/><p><span style="color: darkslategray;">NAND Single-Level Cell, <i>сокр.</i> NAND SLC</span><br/><span>[[Категория: полупроводники]]</span><span style="color: darkslategray;"> [[Flash]]-память данного типа использует запись и чтение только двух состояний транзистора (бита): есть заряд или нет заряда. Благодаря этому обеспечивается высокая надёжность и долговечность ячеек: по некоторым оценкам, каждый транзистор такой памяти выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи.</span><br/>🔗 [https://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#Vertical_NAND Wiki] <span style="color: darkslategray;">(<i>Eng</i>)</span><br/><i>Сравни также</i><br/>- [[SLC]]<br/>- [[3D V-NAND]]<br/>- [[NAND eMLC]]<br/>- [[NAND MLC]]<br/>- [[NAND TLC]]<br/><br/>— [[Участник:Игорь Мостицкий|Игорь Мостицкий]] ([[Обсуждение участника:Игорь Мостицкий|обсуждение]]) 14:49, 9 января 2026 (MSK) | ||
Текущая версия от 20:08, 13 января 2026
(NAND) Single-Level Cell
NAND Single-Level Cell, сокр. NAND SLC
Flash-память данного типа использует запись и чтение только двух состояний транзистора (бита): есть заряд или нет заряда. Благодаря этому обеспечивается высокая надёжность и долговечность ячеек: по некоторым оценкам, каждый транзистор такой памяти выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи.
🔗 Wiki (Eng)
Сравни также
- SLC
- 3D V-NAND
- NAND eMLC
- NAND MLC
- NAND TLC
— Игорь Мостицкий (обсуждение) 14:49, 9 января 2026 (MSK)
