3-D transistor: различия между версиями
Материал из Encyclopedia Electronica
м Замена текста — «<p xmlns="http://www.mediawiki.org/xml/export-0.10/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance">» на «» |
м Замена текста — «— Игорь Мостицкий (обсуждение) (MSK)|— Игорь Мостицкий (обсуждение) (MSK)|» на «» Метки: ручная отмена ReplaceText |
| (не показана 1 промежуточная версия этого же участника) | |
(нет различий)
| |
Текущая версия от 18:40, 23 января 2026
[ˈtraɪˌgeɪt]
(three-dimensional …)
трёхзатворный транзистор, трёхмерный транзистор
Новая структура транзисторов, у которых не один, а три затвора. Такая структура снижает сопротивление при прохождении электронов через транзистор, когда он находится в открытом состоянии, и почти полностью перекрывает поток электронов в закрытом. Используется, в частности, компанией Intel для выпуска микропроцессоров, в которых транзисторы 3-D / Tri-Gate будут изготовляться по 22-нанометровому технологическому процессу (микропроцессорная архитектура Ivy Bridge).
— Игорь Мостицкий (обсуждение) 23:06, 8 января 2026 (MSK)
