3D V-NAND: различия между версиями
Материал из Encyclopedia Electronica
м Замена текста — «(MSK)↵</p>» на «(MSK)» |
м Замена текста — «<p xmlns="http://www.mediawiki.org/xml/export-0.10/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance">» на «» |
||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
<b xmlns="http://www.mediawiki.org/xml/export-0.10/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance">(3D) V-NAND</b><br xmlns="http://www.mediawiki.org/xml/export-0.10/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance"/><b xmlns="http://www.mediawiki.org/xml/export-0.10/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance">(3D) V-NAND</b><br xmlns="http://www.mediawiki.org/xml/export-0.10/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance"/ | <b xmlns="http://www.mediawiki.org/xml/export-0.10/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance">(3D) V-NAND</b><br xmlns="http://www.mediawiki.org/xml/export-0.10/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance"/><b xmlns="http://www.mediawiki.org/xml/export-0.10/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance">(3D) V-NAND</b><br xmlns="http://www.mediawiki.org/xml/export-0.10/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance"/><span style="color: green; font-style: italic;">[[Категория: полупроводники]]</span><span style="color: darkslategray;"> Принципиально новый тип [[Flash]]-памяти, использующий расположение ячеек памяти не в плоскости, а в виде цилиндров с несколькими ячейками друг над другом. Благодаря этой технологии достигается существенное увеличение плотности расположения ячеек без вынужденных потерь в качестве и долговечности (как в случае с MLC/TLC). По некоторым оценкам, V-NAND в I поколении обеспечивает двукратное улучшение скорости с 10-кратным улучшением долговечности при сравнимой с [[MLC]] плотности расположения.</span><br/>🔗 [https://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#Vertical_NAND Wiki] <span style="color: darkslategray;">(<i>Eng</i>)</span><br/><i>Сравни также</i><br/>- [[NAND eMLC]]<br/>- [[NAND MLC]]<br/>- [[NAND SLC]]<br/>- [[NAND TLC]]<br/><br/>— [[Участник:Игорь Мостицкий|Игорь Мостицкий]] ([[Обсуждение участника:Игорь Мостицкий|обсуждение]]) 23:07, 8 января 2026 (MSK) | ||
Версия от 18:42, 9 января 2026
(3D) V-NAND
(3D) V-NAND
Принципиально новый тип Flash-памяти, использующий расположение ячеек памяти не в плоскости, а в виде цилиндров с несколькими ячейками друг над другом. Благодаря этой технологии достигается существенное увеличение плотности расположения ячеек без вынужденных потерь в качестве и долговечности (как в случае с MLC/TLC). По некоторым оценкам, V-NAND в I поколении обеспечивает двукратное улучшение скорости с 10-кратным улучшением долговечности при сравнимой с MLC плотности расположения.
🔗 Wiki (Eng)
Сравни также
- NAND eMLC
- NAND MLC
- NAND SLC
- NAND TLC
— Игорь Мостицкий (обсуждение) 23:07, 8 января 2026 (MSK)
