3-D transistor

Материал из Encyclopedia Electronica
Версия от 18:11, 23 января 2026; Игорь Мостицкий (обсуждение | вклад) (Замена текста — «— \[\[Участник:Игорь Мостицкий|Игорь Мостицкий\]\] \(\[\[Обсуждение участника:Игорь Мостицкий|обсуждение\]\]\) (.*) \(MSK\)» на «— Игорь Мостицкий (обсуждение) $1 (MSK)»)

[ˈtraɪˌgeɪt]
(three-dimensional …)
трёхзатворный транзистор, трёхмерный транзистор
 Новая структура транзисторов, у которых не один, а три затвора. Такая структура снижает сопротивление при прохождении электронов через транзистор, когда он находится в открытом состоянии, и почти полностью перекрывает поток электронов в закрытом. Используется, в частности, компанией Intel для выпуска микропроцессоров, в которых транзисторы 3-D / Tri-Gate будут изготовляться по 22-нанометровому технологическому процессу (микропроцессорная архитектура Ivy Bridge).



Игорь Мостицкий (обсуждение) (MSK)|— Игорь Мостицкий (обсуждение) (MSK)|— Игорь Мостицкий (обсуждение) 23:06, 8 января 2026 (MSK)