3-D transistor

Материал из Encyclopedia Electronica
Версия от 23:06, 8 января 2026; Игорь Мостицкий (обсуждение | вклад) (Новая страница: « <p xmlns="http://www.mediawiki.org/xml/export-0.10/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance"><span style="color: steelblue;">[ˈtraɪˌgeɪt]</span><br/><span style="color: darkslategray;">(three-dimensional …)</span><br/><span style="color: green; font-style: italic;">Категория: полупроводники</span><span style="color: indigo;">трёхзатворный транзистор, трёхмерный транзист...»)
(разн.) ← Предыдущая версия | Текущая версия (разн.) | Следующая версия → (разн.)

[ˈtraɪˌgeɪt]
(three-dimensional …)
трёхзатворный транзистор, трёхмерный транзистор
 Новая структура транзисторов, у которых не один, а три затвора. Такая структура снижает сопротивление при прохождении электронов через транзистор, когда он находится в открытом состоянии, и почти полностью перекрывает поток электронов в закрытом. Используется, в частности, компанией Intel для выпуска микропроцессоров, в которых транзисторы 3-D / Tri-Gate будут изготовляться по 22-нанометровому технологическому процессу (микропроцессорная архитектура Ivy Bridge).



Игорь Мостицкий (обсуждение) 23:06, 8 января 2026 (MSK)