On-Die Termination

Версия от 21:41, 29 августа 2008; Игорь Мостицкий (обсуждение | вклад) (Новая: '''On-Die Termination''' — ''комп'' '''встроенная терминация'''. ▫ Любой импульс или сигнал, распространяющийся по ш...)
(разн.) ← Предыдущая | Текущая версия (разн.) | Следующая → (разн.)

On-Die Terminationкомп встроенная терминация. ▫ Любой импульс или сигнал, распространяющийся по шине, отражается от препятствий на своём пути. Отражений нет только в случае идеальной однородности и бесконечной протяжённости среды, по которой распространяется сигнал. Концы шины являются неоднородностями и поэтому так или иначе вызывают отражения, которые взаимодействуют с передаваемым сигналом, что ухудшает его качество. По этой причине отражения пытаются ликвидировать, применяя терминацию, т. е. устанавливая на конце шины резистор. В случае памяти DDR терминирующие резисторы устанавливаются на мат. плате (обычно они располагаются в ряд параллельно слотам DIMM). Это приводит к отражениям от неактивного в данный момент чипа (Chip) памяти. В случае В.т. (используемой в DDR2) поглощение отражения происходит внутри чипа памяти. Во избежание ослабления сигнала, идущего к активному банку, добавляются переключатели, отключающие В.т. одновременно с доступом к чипу и включающие её при переходе чипа в режим активного ожидания (active standby). Для шины данных (DQ Bus), стробов данных (DQ Strobe) и масок записи (DQ Mask) используется независимая В.т. ▪▪▪

-- Игорь Мостицкий 21:41, 29 августа 2008 (EEST)