3D V-NAND

Материал из Encyclopedia Electronica
Версия от 23:07, 8 января 2026; Игорь Мостицкий (обсуждение | вклад) (Новая страница: « <b xmlns="http://www.mediawiki.org/xml/export-0.10/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance">(3D) V-NAND</b><br xmlns="http://www.mediawiki.org/xml/export-0.10/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance"/><b xmlns="http://www.mediawiki.org/xml/export-0.10/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance">(3D) V-NAND</b><br xmlns="http://www.mediawiki.org/xml/export-0.10/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance"/...»)
(разн.) ← Предыдущая версия | Текущая версия (разн.) | Следующая версия → (разн.)

(3D) V-NAND
(3D) V-NAND

 Принципиально новый тип Flash-памяти, использующий расположение ячеек памяти не в плоскости, а в виде цилиндров с несколькими ячейками друг над другом. Благодаря этой технологии достигается существенное увеличение плотности расположения ячеек без вынужденных потерь в качестве и долговечности (как в случае с MLC/TLC). По некоторым оценкам, V-NAND в I поколении обеспечивает двукратное улучшение скорости с 10-кратным улучшением долговечности при сравнимой с MLC плотности расположения.
🔗 Wiki (Eng)
Сравни также
- NAND eMLC
- NAND MLC
- NAND SLC
- NAND TLC

Игорь Мостицкий (обсуждение) 23:07, 8 января 2026 (MSK)