NAND TLC

Материал из Encyclopedia Electronica
Версия от 18:18, 13 января 2026; Игорь Мостицкий (обсуждение | вклад) (Замена текста — «\[\[Файл:(.*)\\ (.*)\|мини\]\]» на «мини»)
(разн.) ← Предыдущая версия | Текущая версия (разн.) | Следующая версия → (разн.)

(NAND) TLC
(NAND) Triple-Level Cell
(NAND) TLC
(NAND) Triple-Level Cell

NAND Triple-Level Cell, сокр. NAND TLC
Flash-память данного типа работает по тому же принципу, что и MLC, но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Надёжность этого вида памяти низкая — около 1 тыс. циклов перезаписи.
♦ QLC-чипы дешевле, но быстрее деградируют при интенсивной записи. Для рабочих систем лучше выбирать TLC.
🔗 Wiki (Eng)
🔗 «Два года без питания: исследование подтвердило риски долгосрочного хранения данных на SSD без питания» (20.04.2025)
Сравни также
- 3D V-NAND
- NAND eMLC
- NAND MLC
- NAND SLC


Табл. Cell types of storage. Изображение: wiki.

Игорь Мостицкий (обсуждение) 14:49, 9 января 2026 (MSK)