3D XPoint

[ˌθriːˈdiːˈkrɒsˈpɔɪnt]
этим. от англ. 3D «объёмный» + cross-point «пересечение, узел»
«3Д кросс-поинт»
 Новый и революционный вид энергонезависимой памяти. Разработка компаний Intel и Micron. Представлена в конце июля 2015 г.
 По словам разработчиков, это самое великое изобретение в отрасли со времён разработки NAND-флеш. Новая энергонезависимая память 3D XPoint в 1000 раз быстрее NAND-флеш, в 1000 раз устойчивее к износу и в 10 раз плотнее DRAM.
 Опытные образцы памяти 3D XPoint начнут выпускаться в 2015 г. Первые продукты на основе новой памяти Intel и Micron начнут выходить в 2016 г. Первое поколение памяти 3D XPoint выпускается в виде микросхем объёмом 128 ГБ с двухуровневой структурой, где каждый слой имеет ёмкость 64 Гбит. По мере развития технологии в микросхемы 3D XPoint можно будет добавлять новые слои и заметно наращивать объём решений без значительного увеличения себестоимости.
появл. 2015
 

Фото: Как работает память 3D XPoint. Изображение: Intel, Micron.

— Игорь Мостицкий (обсуждение) 23:07, 8 января 2026 (MSK)