CMOS

Complementary Metal-Oxide Structure, сокр. CMOS
комплементарная структура типа металл-оксид-полупроводник (КМОП), комплементарный металл-оксидный полупроводник, проф. Си-МОС
 а) Технология интегральных схем и тип полупроводника, требующий очень незначительного потребления энергии (хотя память, основанная на использовании CMOS, является энергозависимой, хранение информации может обеспечиваться подключением микросхемы CMOS к маломощному источнику питания, например, батарее). Представляет собой пару дополняющих МОП-транзисторов с каналами разного типа. Создаётся на основе металл-оксида кремния. Для МОП-транзисторов характерны низкая потребляемая мощность и малое время переключения. Используется, в частности, в качестве запоминающих матриц для фиксации изображения.
 б) Технология изготовления МС, позволяющая достичь высокую плотность размещения элементов и низкое энергопотребление.
 в) Смотри CMOS RAM
♦ You may clear the CMOS data to its default values by this header. To clear CMOS, temporarily short the two pins. Default doesn't include the jumper to avoid improper use of this header. — При помощи этого контакта, вы можете очистить CMOS-память, и сбросить все содержащиеся в ней значения на значения по умолчанию. Чтобы очистить CMOS-память, временно замкните два контактных штырька. Для предотвращения неправильного использования данного разъёма, перемычка отсутствует.

— Игорь Мостицкий (обсуждение) 13:21, 9 января 2026 (MSK)