InSb

(от In «индий» + Sb «сурьма»)
антимонид индия
 Двухкомпонентный полупроводниковый материал, химическое соединение сурьмы с индием. В настоящее время (2005) рассматривается как альтернативный кремнию (Si) материал для производства транзисторов. Планируется, что антимонид-индиевые транзисторы в ближайшем будущем смогут вытеснить привычные кремниевые, которые используются при производстве процессоров сейчас. А.и. начали исследовать с 2003. Эффект квантовой «потенциальной ямы» позволил в несколько раз снизить время и напряжение, необходимые для переключения содержащего InSb транзистора. Благодаря этому разогрев новых процессоров будет небольшим. Опытные образцы потребляют в десять раз меньше энергии, чем кремниевые аналоги. Но пока для нормальной работы антимонид-индиевых транзисторов необходимы температуры не выше точки кипения жидкого азота, равной –196 °С. Серийный выпуск процессоров нового поколения Intel планирует начать после 2010 г.

— Игорь Мостицкий (обсуждение) 14:20, 9 января 2026 (MSK)