Memristor

[ˈmemrɪstə]
мемристор
 Первое реальное устройства данного типа было разработано в 2008 году группой учёных из компании Hewlett-Packard. Оно состояло из наноплёнки (50 нм) оксида титана, зажатой между титановым и платиновым электродами (каждый в 5 нм толщиной). Уникальным свойством прибора является его способность изменять собственное сопротивление и таким образом хранить информацию. К 2010 году инженеры HP довели размеры мемристора до 3×3 нм, а скорость работы — до 1 ГГц.
 К концу 2013 года компания планировала наладить серийный выпуск первых устройств памяти на базе мемристоров, которые в скором времени призваны заменить «громоздкие» Flash, SSD и пр.
 Что касается научной ценности мемристоров, то их открытие потенциально может совершить переворот в нейронауке. Дело в том, что собранные в достаточно несложную цепь, устройства ведут себя подобно человеческим нейронам. Первые эксперименты показали, что такие цепи способны на «запоминание» и «забывание» информации, причём обучение происходит по тому же принципу, по которому работают клетки в человеческом головном мозге. Ценность такого свойства для разработки искусственного интеллекта очевидна.
этим. memory («память») + resistor («сопротивление»); появл. 2008
Смотри также Resistor
 

Рисунок: Мемристивные системы.

— Игорь Мостицкий (обсуждение) 14:40, 9 января 2026 (MSK)