Phase Change RAM

(PRAM)
память RAM с изменяемым фазовым состоянием
 Разработка японских учёных из университета Каназавы. В перспективе может стать альтернативой флеш-памяти (Flash Memory). В памяти PRAM для хранения информации применяется нестандартный подход — свойство халькогенидных полупроводников находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество носителя представляет собой непроводящий аморфный материал, а в др. — кристаллический проводник. Изменение фаз осуществляется путём приложения электрического потенциала, при этом сама память является энергонезависимой. Разработка П.и.ф.с. ведётся на протяжении нескольких последних лет. Однако до недавнего времени считалось, что такая память не сможет составить серьёзную конкуренцию флеш-памяти из-за ряда ограничений (недостаточное количество циклов переключения между фазами и пр.). Однако японским исследователям удалось существенно улучшить характеристики PRAM. Прототип изготовлен из материала на основе сурьмы, селена и теллура.
появл. [2005]

— Игорь Мостицкий (обсуждение) 15:05, 9 января 2026 (MSK)