UltraRAM
UltraRAM — разработка инженеров из Ланкастерского Университета (Великобритания), компании Quinas Technology. Это энергонезависимая память, как и флеш, и она способна хранить в себе информацию до 1000 лет (как уверяют её создатели). При этом UltraRAM быстрее среднестатистического SSD-накопителя, скорости которых даже в бюджетных моделях в последнее время всё чаще выше 1 ГБ/с. Изобретатели UltraRAM уверяют, что она способна развивать скорость работы на уровне динамической памяти с произвольным доступом (Dynamic Random Access Memory, DRAM) и даже выше, потребляя при этом меньше энергии.
Основа UltraRAM — эффект квантового туннелирования электронов через энергетический барьер в ячейку памяти. Барьер создаётся при помощи чередования тонких слоев двух материалов — антимонида галлия (GaSb) и антимонида алюминия (AlSb).
Впервые была представлена в начале 2020 г. 🔗
— Игорь Мостицкий (обсуждение) 16:05, 9 января 2026 (MSK)
