3D XPoint: различия между версиями
м Замена текста — «<p xmlns="http://www.mediawiki.org/xml/export-0.10/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance">» на «» |
м Замена текста — «— Игорь Мостицкий (обсуждение) (MSK)|— Игорь Мостицкий (обсуждение) (MSK)|» на «» Метки: ручная отмена ReplaceText |
||
| (не показаны 2 промежуточные версии этого же участника) | |||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
<span style="color: steelblue;">[ˌθriːˈdiːˈkrɒsˈpɔɪnt]</span><br/><span style="color: darkslategray;"><i>этим.</i> <i>от</i> <i>англ.</i> 3D «объёмный» + cross-point «пересечение, узел»</span><br/><span style="color: green; font-style: italic;">[[Категория: полупроводники]]</span><span style="color: indigo;">«3Д кросс-п<u style="color: brown;">о</u>инт»</span><br/><span style="color: darkslategray;"> Новый и революционный вид энергонезависимой памяти. Разработка компаний [[Intel]] и <i><font color="purple">Micron</font></i>. Представлена в конце июля 2015 г.<br/> По словам разработчиков, это самое великое изобретение в отрасли со времён разработки NAND-флеш. Новая энергонезависимая память 3D XPoint в 1000 раз быстрее NAND-флеш, в 1000 раз устойчивее к износу и в 10 раз плотнее [[DRAM]].<br/> Опытные образцы памяти 3D XPoint начнут выпускаться в 2015 г. Первые продукты на основе новой памяти Intel и Micron начнут выходить в 2016 г. Первое поколение памяти 3D XPoint выпускается в виде микросхем объёмом 128 ГБ с двухуровневой структурой, где каждый слой имеет ёмкость 64 Гбит. По мере развития технологии в микросхемы 3D XPoint можно будет добавлять новые слои и заметно наращивать объём решений без значительного увеличения себестоимости.</span><br/><span style="color: darkslategray;"><i>появл.</i> 2015</span><br/> <br/>[[Файл:3D_xpoint.jpg|мини]]<br/><i>Фото:</i> <span style="color: darkslategray;">Как работает память 3D XPoint. <i><font color="silver">Изображение: Intel, Micron.</font></i></span><br/><br/>— [[Участник:Игорь Мостицкий|Игорь Мостицкий]] ([[Обсуждение участника:Игорь Мостицкий|обсуждение]]) 23:07, 8 января 2026 (MSK) | <span style="color: steelblue;">[ˌθriːˈdiːˈkrɒsˈpɔɪnt]</span><br/><span style="color: darkslategray;"><i>этим.</i> <i>от</i> <i>англ.</i> 3D «объёмный» + cross-point «пересечение, узел»</span><br/><span style="color: green; font-style: italic;">[[Категория: полупроводники]]</span><span style="color: indigo;">«3Д кросс-п<u style="color: brown;">о</u>инт»</span><br/><span style="color: darkslategray;"> Новый и революционный вид энергонезависимой памяти. Разработка компаний [[Intel]] и <i><font color="purple">Micron</font></i>. Представлена в конце июля 2015 г.<br/> По словам разработчиков, это самое великое изобретение в отрасли со времён разработки NAND-флеш. Новая энергонезависимая память 3D XPoint в 1000 раз быстрее NAND-флеш, в 1000 раз устойчивее к износу и в 10 раз плотнее [[DRAM]].<br/> Опытные образцы памяти 3D XPoint начнут выпускаться в 2015 г. Первые продукты на основе новой памяти Intel и Micron начнут выходить в 2016 г. Первое поколение памяти 3D XPoint выпускается в виде микросхем объёмом 128 ГБ с двухуровневой структурой, где каждый слой имеет ёмкость 64 Гбит. По мере развития технологии в микросхемы 3D XPoint можно будет добавлять новые слои и заметно наращивать объём решений без значительного увеличения себестоимости.</span><br/><span style="color: darkslategray;"><i>появл.</i> 2015</span><br/> <br/>[[Файл:3D_xpoint.jpg|мини]]<br/><i>Фото:</i> <span style="color: darkslategray;">Как работает память 3D XPoint. <i><font color="silver">Изображение: Intel, Micron.</font></i></span><br/><br/>— [[Участник:Игорь Мостицкий|Игорь Мостицкий]] ([[Обсуждение участника:Игорь Мостицкий|обсуждение]]) 23:07, 8 января 2026 (MSK) | ||
Текущая версия от 18:40, 23 января 2026
[ˌθriːˈdiːˈkrɒsˈpɔɪnt]
этим. от англ. 3D «объёмный» + cross-point «пересечение, узел»
«3Д кросс-поинт»
Новый и революционный вид энергонезависимой памяти. Разработка компаний Intel и Micron. Представлена в конце июля 2015 г.
По словам разработчиков, это самое великое изобретение в отрасли со времён разработки NAND-флеш. Новая энергонезависимая память 3D XPoint в 1000 раз быстрее NAND-флеш, в 1000 раз устойчивее к износу и в 10 раз плотнее DRAM.
Опытные образцы памяти 3D XPoint начнут выпускаться в 2015 г. Первые продукты на основе новой памяти Intel и Micron начнут выходить в 2016 г. Первое поколение памяти 3D XPoint выпускается в виде микросхем объёмом 128 ГБ с двухуровневой структурой, где каждый слой имеет ёмкость 64 Гбит. По мере развития технологии в микросхемы 3D XPoint можно будет добавлять новые слои и заметно наращивать объём решений без значительного увеличения себестоимости.
появл. 2015
Фото: Как работает память 3D XPoint. Изображение: Intel, Micron.
— Игорь Мостицкий (обсуждение) 23:07, 8 января 2026 (MSK)
