UltraRAM: различия между версиями
Новая страница: « <p><span>Категория: полупроводники</span><span style="color: darkslategray;"> UltraRAM — разработка инженеров из Ланкастерского Университета (Великобритания), компании <i><font color="purple">Quinas Technology</font></i>. Это энергонезависимая память, как и флеш, и она способна хранить в себе инфо...» |
м Замена текста — «↵<p><span>» на «<span>» |
||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
<span>[[Категория: полупроводники]]</span><span style="color: darkslategray;"> UltraRAM — разработка инженеров из Ланкастерского Университета (Великобритания), компании <i><font color="purple">Quinas Technology</font></i>. Это энергонезависимая память, как и флеш, и она способна хранить в себе информацию до 1000 лет (как уверяют её создатели). При этом UltraRAM быстрее среднестатистического [[SSD]]-накопителя, скорости которых даже в бюджетных моделях в последнее время всё чаще выше 1 ГБ/с. Изобретатели UltraRAM уверяют, что она способна развивать скорость работы на уровне динамической памяти с произвольным доступом (Dynamic Random Access Memory, DRAM) и даже выше, потребляя при этом меньше энергии.<br/> Основа UltraRAM — эффект квантового туннелирования электронов через энергетический барьер в ячейку памяти. Барьер создаётся при помощи чередования тонких слоев двух материалов — антимонида галлия (GaSb) и антимонида алюминия (AlSb).<br/> Впервые была представлена в начале 2020 г. [https://www.cnews.ru/news/top/2023-08-22_flesh-pamyati_nashli_zamenu 🔗]</span><br/><br/>— [[Участник:Игорь Мостицкий|Игорь Мостицкий]] ([[Обсуждение участника:Игорь Мостицкий|обсуждение]]) 16:05, 9 января 2026 (MSK) | |||
Текущая версия от 22:41, 23 января 2026
UltraRAM — разработка инженеров из Ланкастерского Университета (Великобритания), компании Quinas Technology. Это энергонезависимая память, как и флеш, и она способна хранить в себе информацию до 1000 лет (как уверяют её создатели). При этом UltraRAM быстрее среднестатистического SSD-накопителя, скорости которых даже в бюджетных моделях в последнее время всё чаще выше 1 ГБ/с. Изобретатели UltraRAM уверяют, что она способна развивать скорость работы на уровне динамической памяти с произвольным доступом (Dynamic Random Access Memory, DRAM) и даже выше, потребляя при этом меньше энергии.
Основа UltraRAM — эффект квантового туннелирования электронов через энергетический барьер в ячейку памяти. Барьер создаётся при помощи чередования тонких слоев двух материалов — антимонида галлия (GaSb) и антимонида алюминия (AlSb).
Впервые была представлена в начале 2020 г. 🔗
— Игорь Мостицкий (обсуждение) 16:05, 9 января 2026 (MSK)
