UltraRAM

Материал из Encyclopedia Electronica
Версия от 16:05, 9 января 2026; Игорь Мостицкий (обсуждение | вклад) (Новая страница: « <p><span>Категория: полупроводники</span><span style="color: darkslategray;"> UltraRAM — разработка инженеров из Ланкастерского Университета (Великобритания), компании <i><font color="purple">Quinas Technology</font></i>. Это энергонезависимая память, как и флеш, и она способна хранить в себе инфо...»)
(разн.) ← Предыдущая версия | Текущая версия (разн.) | Следующая версия → (разн.)

 UltraRAM — разработка инженеров из Ланкастерского Университета (Великобритания), компании Quinas Technology. Это энергонезависимая память, как и флеш, и она способна хранить в себе информацию до 1000 лет (как уверяют её создатели). При этом UltraRAM быстрее среднестатистического SSD-накопителя, скорости которых даже в бюджетных моделях в последнее время всё чаще выше 1 ГБ/с. Изобретатели UltraRAM уверяют, что она способна развивать скорость работы на уровне динамической памяти с произвольным доступом (Dynamic Random Access Memory, DRAM) и даже выше, потребляя при этом меньше энергии.
 Основа UltraRAM — эффект квантового туннелирования электронов через энергетический барьер в ячейку памяти. Барьер создаётся при помощи чередования тонких слоев двух материалов — антимонида галлия (GaSb) и антимонида алюминия (AlSb).
 Впервые была представлена в начале 2020 г. 🔗


Игорь Мостицкий (обсуждение) 16:05, 9 января 2026 (MSK)